首先是芯片設計，根據設計的需求，生成的“圖樣”。

制作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。

晶圓涂膜。在晶圓表面涂上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。

晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡后照射到晶圓涂膜上，使其軟化，然后使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。

離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，并注入離子，形成PN結（邏輯閘門）；然后通過化學和物理氣象沉淀做出上層金屬連接電路。

晶圓測試。經過上面的幾道工藝之后，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。