ST 功率晶體管
ST意法半導體適用于高壓和低壓應用的領先功率技術，結合全封裝范圍和創新芯片鍵合技術，是ST在屬于STPOWER系列的功率晶體管方面的創新。ST提供范圍從-100到1700 V的功率MOSFET、擊穿電壓從300到1700 V、功率雙極晶體管從15到1700 V不等的IGBT和功率雙極晶體管，我們的碳化硅（SiC）MOSFET確保了良好的魯棒性，這得益于業界最高的溫度額定值200°C和650至2200 V的電壓范圍。此外，我們的硅襯底氮化鎵（GaN/Si）晶體管由于出色的動態導通電阻和小電容100，650和900伏。